• 霍尔元件

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  • 磁阻元件

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  • 开关型霍尔IC

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  • 线性霍尔IC

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  • 集成式传感芯片​

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霍尔元件的工作原理

  目前主要的磁传感技术根据工作原理的不同,包括霍尔、磁阻 (Magneto Resistance) 、磁通门磁感应 (Magneto lnductive)、超导量子干涉仪 (SQUID) 等。其中,基于霍尔原理的磁传感芯片占总市场的约70%,是最主要的解决方案。


  霍尔磁传感是利用霍尔效应,获得与磁场成正比输出的霍尔电压(VH),作为直接输出的非接触式传感。在零磁场工作情况下,霍尔器件内部电桥的不平衡会导致仍有很小的几mV以内的电压输出,称为不平衡电压或零点电压(Vos)。


  磁场强度应用范围很宽,覆盖0.1高斯至10特斯拉,为磁传感应用的最主流解决方案




电流传感器: 利用磁场感知电流(AC和DC)大小及方向,广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车。

线性位移/角度传感器: 利用磁场感知位移和角度,广泛应用于工业机器人、智能手机、汽车。

霍尔元件的材料特性

  InSb材料灵敏度最高,是S硅材料的60倍以上,但随温度变化大,主要用于开关传感应用;


  GaAs材料灵敏度较高,是Si硅材料的8倍以上,且随温度变化很小(0.03-0.05%/度),主要用于线性传感应用,也可用于高端开关传感应用;


  Si材料灵敏度不高、温度系数性能一般,主要优势在于集成度较高、成本相对较低。


  化合物半导体材料由于其优异的电子迁移率等特性,所制备的霍尔元件及IC在灵敏度、工作带宽、零点漂移、灵敏度温度系数等性能上具有天然的材料优势。

霍尔元件的应用领域

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